0010-27983 300mm的高温基座组件

  • 产品名称:APPLIED MATERIALS PEDESTAL, 300MM PIB HT BESC ASSY, 9 KOV, 6000-02809 (REFURB)
  • 产品描述:这是一个300mm高温基座组件,适用于特定的半导体制造设备。”PIB”可能指的是“Photolithography Inspection Bin”,这通常与光刻检查有关,而”HT”可能指的是“High Temperature”,表明该组件适用于高温环境。
  • 产品用途:该产品可能用于半导体制造过程中的静电卡盘(ESC)或其他相关设备,以支持高温下的晶圆处理。

一、产品概述

0010-27431 300mm高温基座组件是一种专为半导体制造、材料科学研究等领域设计的高温处理设备部件。该组件主要用于在高温环境下支撑和加热300mm直径的半导体晶圆或其他材料衬底,以实现特定的工艺过程,如热处理、退火、氧化、扩散等。

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产品详情

产品细节:0010-27983 300mm的高温基座组件

  • 产品名称:APPLIED MATERIALS PEDESTAL, 300MM PIB HT BESC ASSY, 9 KOV, 6000-02809 (REFURB)
  • 产品描述:这是一个300mm高温基座组件,适用于特定的半导体制造设备。”PIB”可能指的是“Photolithography Inspection Bin”,这通常与光刻检查有关,而”HT”可能指的是“High Temperature”,表明该组件适用于高温环境。
  • 产品用途:该产品可能用于半导体制造过程中的静电卡盘(ESC)或其他相关设备,以支持高温下的晶圆处理。

一、产品概述

0010-27431 300mm高温基座组件是一种专为半导体制造、材料科学研究等领域设计的高温处理设备部件。该组件主要用于在高温环境下支撑和加热300mm直径的半导体晶圆或其他材料衬底,以实现特定的工艺过程,如热处理、退火、氧化、扩散等。

二、主要组成部分

  1. 基座本体
    • 材料:通常由高纯度、高耐热性的材料制成,如陶瓷(如氧化铝、氮化铝等)或石英,以确保在高温环境下的稳定性和低污染性。
    • 结构:设计为能够均匀支撑300mm直径的晶圆,并具有良好的热传导性能,以确保温度分布的均匀性。
  2. 加热元件
    • 嵌入在基座内部或下方的加热元件(如电阻丝、电热膜等),用于提供高温热源。
    • 加热元件的布置和功率设计需确保基座表面温度均匀且可控。
  3. 温控系统
    • 包括温度传感器和温度控制器,用于实时监测基座温度并根据需要调整加热功率,以维持设定的工艺温度。
  4. 气体管路系统(如适用):
    • 部分高温基座组件可能配备有气体管路系统,用于向基座表面或晶圆下方输送工艺气体,以实现特定的化学反应或气体氛围控制。
  5. 连接与固定装置
    • 包括用于将基座组件安装到设备上的连接件和用于固定晶圆的夹具等装置。

0010-27431

产品参数:0010-27983 300mm的高温基座组件

  • 产品描述:Pedestal, 300mm PIB HT BESC ASSY, 9 KOV, 6000-02809 (REFURB),即300mm的高温基座组件,。
  • 品牌:APPLIED MATERIALS
  • 型号/部件编号:0010-27431
  • 重量:27 kg

0010-27983 300mm的高温基座组件 应用领域:

  • 半导体制造:用于晶圆的热处理、退火等工艺过程。
  • 材料科学研究:用于高温环境下的材料性能测试、相变研究等。
  • 其他高温工艺领域:如太阳能光伏、微电子封装等。

Product Description

I. Product overview

0010-27431 300mm high temperature base assembly is a high temperature treatment equipment components designed for semiconductor manufacturing, material science research and other fields. The components are mainly used to support and heat 300mm diameter semiconductor wafers or other material substrates in high temperature environments to achieve specific process processes such as heat treatment, annealing, oxidation, diffusion, etc.

Two, the main components
Base body:
Materials: Usually made of high purity, high heat resistant materials, such as ceramics (such as alumina, aluminum nitride, etc.) or quartz, to ensure stability in high temperature environments and low pollution.
Structure: Designed to uniformly support 300mm diameter wafers and to have good heat conductivity to ensure uniform temperature distribution.
Heating element:
A heating element (such as resistance wire, electrothermal film, etc.) embedded in or below the base to provide a high temperature heat source.
The arrangement and power design of the heating elements ensure that the base surface temperature is uniform and controllable.
Temperature control system:
Includes a temperature sensor and a temperature controller to monitor the base temperature in real time and adjust the heating power as needed to maintain the set process temperature.
Gas piping system (if applicable) :
Some high-temperature base components may be equipped with a gas piping system to deliver process gases to the base surface or below the wafer for specific chemical reactions or gas atmosphere control.
Connections and fixtures:
Includes a connector for mounting the base component to the device and a fixture for holding the wafer.

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