1080-01772 真空晶圆传输机械臂模块

参数名称 参数值
产品型号 1080-01772​
制造商 Applied Materials (AMAT)
产品类型 真空晶圆传输机械臂模块
适用平台 Endura® PVD 平台
运动轴数 3轴 (R-θ-Z)
重复定位精度 ±0.025 mm
最大行程 R轴: 600 mm, Z轴: 150 mm
真空等级 10⁻⁸ Torr (工作), 10⁻¹⁰ Torr (极限)
传输速度 2.5 m/s (最大), 加速度 2G
负载能力 300 mm晶圆 (最大12英寸)
材质 316L不锈钢 (镀镍), 氧化铝陶瓷轴承
颗粒控制 ≤0.05 μm @ Class 1 洁净度
通信接口 SECS/GEM, Modbus TCP/IP
电源要求 48 V DC ±5%, 峰值功耗 500W
重量 8.7 kg
分类:

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描述

产品概述

​AMAT 1080-01772​​ 是应用材料公司(Applied Materials)为半导体制造设备设计的​​晶圆传输机械臂模块​​,属于Endura® PVD(物理气相沉积)平台的核心传输组件。该模块集成高精度直线电机与真空兼容陶瓷轴承,专用于在10⁻⁸ Torr超高真空环境下实现晶圆的无污染传输,定位重复精度达±0.025 mm。作为AMAT自动化物料处理系统(AMHS)的关键部件,​​1080-01772​​ 通过独特的​​双级闭环控制​​(编码器+激光干涉仪)和​​低释气材料​​(316L不锈钢镀镍+氧化铝陶瓷),满足28nm以下先进制程对颗粒控制(≤0.05μm)与金属污染(≤5E10 atoms/cm²)的严苛要求。

在Endura® PVD设备中,​​AMAT 1080-01772​​ 承担晶圆在负载锁(Load Lock)、传输腔(Transfer Chamber)及工艺腔(Process Chamber)间的精准搬运。其磁悬浮驱动技术消除机械摩擦,配合AMAT ​​Smart Transport™​​ 算法,可实现加速度2G的平滑运动(振动幅度<5μm),大幅减少微粒生成。模块化设计支持热插拔更换,MTTR(平均修复时间)<30分钟,显著提升晶圆厂设备利用率(OEE)。


技术规格

参数名称 参数值
产品型号 1080-01772​
制造商 Applied Materials (AMAT)
产品类型 真空晶圆传输机械臂模块
适用平台 Endura® PVD 平台
运动轴数 3轴 (R-θ-Z)
重复定位精度 ±0.025 mm
最大行程 R轴: 600 mm, Z轴: 150 mm
真空等级 10⁻⁸ Torr (工作), 10⁻¹⁰ Torr (极限)
传输速度 2.5 m/s (最大), 加速度 2G
负载能力 300 mm晶圆 (最大12英寸)
材质 316L不锈钢 (镀镍), 氧化铝陶瓷轴承
颗粒控制 ≤0.05 μm @ Class 1 洁净度
通信接口 SECS/GEM, Modbus TCP/IP
电源要求 48 V DC ±5%, 峰值功耗 500W
重量 8.7 kg

主要特点和优势

​超洁净运动控制​​是 ​​AMAT 1080-01772​​ 的核心优势。其采用​​非接触式磁驱技术​​(直线电机+磁悬浮导轨),彻底消除机械磨损产生的微粒,配合陶瓷轴承的低释气特性(总释气率<1E-9 Torr·L/s),保障高真空腔体洁净度。独特的​​双反馈系统​​(23位绝对编码器+激光干涉仪)实时补偿热变形误差,确保晶圆中心定位偏差<0.1mm。

1080-01772

​智能诊断与维护性​​设计显著降低运营成本。内置振动传感器与电流纹波分析单元,可提前预警轴承磨损或线圈老化(预测准确率>90%)。模块化快拆结构允许在真空腔体外更换驱动单元,避免系统破空带来的48小时停机损失。其符合SEMI E84标准的通信协议,可直接与Fab MES系统集成,实现传输路径优化。

​能效与可靠性​​同样卓越。再生制动能量回收技术降低能耗30%,无刷电机设计使MTBF(平均无故障时间)超50,000小时。全密封IP67防护(大气环境下)抵御工艺气体腐蚀,特别适用于铜互连(Cu Interconnect)等易产生腐蚀性副产物的制程。


应用领域

​AMAT 1080-01772​​ 专用于先进半导体制造的关键环节:

  • ​PVD金属沉积​​: 在Endura®平台中传输晶圆至Al/Ti/TiN溅射腔,精准定位至靶材中心区域(偏差<0.3mm),保障薄膜均匀性(Uniformity<3%)。
  • ​ALD原子层沉积​​: 配合高精度预对准器(如AMAT ​​2991-03045​​),满足EUV光刻胶底层(Underlayer)的纳米级膜厚控制需求。
  • ​3D NAND堆叠​​: 在多层结构沉积时高速穿梭于多工艺腔体(>20腔),缩短传输周期至<8秒/片,提升WPH(每小时晶圆产量)。
  • ​化合物半导体​​: 用于GaAs/GaN功率器件制造的金属电极沉积,耐受NH₃、SiH₄等反应气体环境。

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  • ​AMAT SmartFactory®​​: 智能制造平台,优化 ​​1080-01772​​ 的调度逻辑。