描述
MG150Q2YK1 TOSHIBA
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- MG150Q2YK1
- 制造商已停产
- 电源微型组件
- 150安培
MG150Q2YK1通常简称功率晶体管。其中大容量型又称巨型晶体管，简称GTR。功率晶体管一般为功率集成器件，内含数十至数百个晶体管单元。如图2是功率晶体管的符号，其上e、b、c分别代表发射极、基极和集电极。按半导体的类型，器件被分成NPN型和PNP型两种，硅功率晶体管多为前者
工作原理
MG150Q2YK1是其工作原理（对于PNP型器件，则需要将两组电源极性反接），其中基极加0。6V左右的正向偏压，集电极加高得多的反向偏压（数十至数百伏）。发射结通过的电流，是由发射区注入到基区的电子形成的，这些电子的小部分在基区与空穴复合成为基极电流Ib，其余大部分均能扩散到集电结而被其电场收集到集电区，形成集电极电流Ic。
输出特性
MG150Q2YK1是与MG150Q2YS11 相对应的器件的共发射极输出特性，它反映了器件的基极控制作用及不同的Ib下，Ic与Vce之间的关系。从图4中看出，特性曲线明显分成3个区。在线性区，Ic与Ib成比例并受其控制，器件具有放大作用（倍数β=Ic/Ib）；在截止区，器件几乎不导电；在饱和区，器件的饱和压降仅在1～2V上下(因饱和区VCE太小，集电结电子收集效率很低，器件失去放大作用)。
MG150Q2YK1晶体管的直流安全工作区边界一般由三部分组成，即最大额定电流ICM,最高电压VCEO。和峰值结温等于最高允许结温(例如200℃)时的VCE~IC曲线组成,如图1所示。
其中一、二两部份意义是明显的,人们主要关心的是第三部份。这一部份曲线上的VCEIC乘积一般都随VCE提高而下降。人们通常用二次击穿来解释这现象。我们观察正常功率晶体管的红外扫描温度分布曲线,一般都看到很规律的温度分布,且随集电极电压升高,同样功耗时红外热象仪上的热区逐渐向器件中心收缩,四周温度逐步降低,中心温度逐步升高,因此也可从计算峰值结温随工作点变化来解释安全区的这一段曲线。
VT130H7U410KA
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| TOSHIBA RAD02-2017 | TOSHIBA USIO21 |
| TOSHIBA VT130G304035 | TOSHIBA HC422B |
| Toshiba Clamrol F0031241 | TOSHIBA VFP1-4550UP-B1 |
| TOSHIBA VT130G204110 | TOSHIBA VT130H7U410KA |
| TOSHIBA VT130G3U-4160 | TOSHIBA VT130G2U4750 |
| TOSHIBA VT130G304055 | TOSHIBA VT130G7U-4400B |
| Toshiba RAD310-1006E | TOSHIBA VFA5-4450P |
| Toshiba RAD320 | Toshiba Tosvert-130 |
| TOSHIBA VT130H1U-4110B0 | TOSHIBA VT130G3U435K |
| TOSHIBA RAD10-012 | TOSHIBA VT130G1-4330R0H |
| TOSHIBA TPU325H-S | TOSHIBA VT130G3U4330 |
| TOSHIBA VT130H1U-4110-BOH | TOSHIBA VFP1-4250UP-B1 |
| TOSHIBA VT130G2U4110 | TOSHIBA VT130H1U4270B0H |
| TOSHIBA SSN322-MS | TOSHIBA VT130H2U4330 |
| TOSHIBA SSN322-MS | TOSHIBA VT130G1-2270-BOH |
| TOSHIBA VFS7-4110UPLH | Toshiba CIMR-SJF-37AA |
| TOSHIBA RAD12-2017 | TOSHIBA VT130H7U4270 |
| TOSHIBA VT130G1-4160BOH | TOSHIBA VT130G7U4220 |
| TOSHIBA VT130G1-2220B0H | TOSHIBA VT130H1U-4220-B0H |
| TOSHIBA VFS7-4150UPLH | Toshiba Q-Flowsaver |
| TOSHIBA VT130G1-4110BO | TOSHIBA TPU325H-S |
| TOSHIBA VT130G1-2110BOH | TOSHIBA PROSEC EX500 |
| TOSHIBA MG150Q2YS11 | Toshiba VT130G3U4270 |
| TOSHIBA MG150Q2YK1 | TOSHIBA VT130H3U4220 |
