5SHY3545L0010 高压变频器

由于IGCT内部是在基极开路的状态下以晶体管模式对阳极电流进行关断，可以避免出现所谓的“GTO”状态，关断过程中允许更高的阳极电压上升率，而且关断动作非常可靠因此IGCT兼有晶闸管的低通态压降和高阻断电压，以及晶体管稳定的关断特性，是一种比较理想的大功率半导体开关器件。由于门极驱动电路必须在关断过程中迅速转移所有的阳电流。因此，IGCT设计必须采用电感相当低的门极驱动电路。实际中可根据器件要求采用多层布线印刷线路板。
综上可知IGCT具有以下特点：IGCT环流关断时间时间可降至lµs以内，这为实现简单耐用的高压串联打下基础；由于IGCT能非常均匀的工作，因此可显著减少或忽略吸收电路及逆变器的损耗；由于门极关断电荷较低，可显著降低门极驱动功率。