ARND-3116 2N3A3116-A 绝缘栅双极晶体管板

ARND-3116 2N3A3116-A是一款由TMEIC公司生产的工业电子元件，其封装形式为直插式封装，并且它是一款NPN型晶体管。关于这款产品的具体信息如下：

  • 最大集电极电流为2A。
  • 最大集电极-基极电压为30V。
  • 最大集电极-发射极电压为30V。
  • 最小放大倍数为50。

不过，根据提供的信息，ARND-3116 2N3A3116-A并不是绝缘栅双极晶体管（IGBT）板。绝缘栅双极晶体管是一种功率半导体器件，结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的高输入阻抗和电力晶体管（GTR）的低导通压降两方面的优点。

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产品详情

ARND-3116 2N3A3116-A 绝缘栅双极晶体管板特点:

产品概述

ARND-3116 2N3A3116-A是一款由TMEIC公司生产的工业电子元件，其封装形式为直插式封装，并且它是一款NPN型晶体管。关于这款产品的具体信息如下：

  • 最大集电极电流为2A。
  • 最大集电极-基极电压为30V。
  • 最大集电极-发射极电压为30V。
  • 最小放大倍数为50。

不过，根据提供的信息，ARND-3116 2N3A3116-A并不是绝缘栅双极晶体管（IGBT）板。绝缘栅双极晶体管是一种功率半导体器件，结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的高输入阻抗和电力晶体管（GTR）的低导通压降两方面的优点。

2N3A8204-B

The ARND-3116 2N3A3116-A is an industrial electronic component manufactured by TMEIC in a in-line package and is an NPN type transistor. Specific information about this product is as follows:

The maximum collector current is 2A.
The maximum collector-base voltage is 30V.
The maximum collector-emitter voltage is 30V.
Minimum magnification is 50.
However, according to the information provided, the ARND-3116 2N3A3116-A is not an insulated-gate bipolar transistor (IGBT) board. An insulated gate bipolar transistor is a power semiconductor device that combines the high input impedance of a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) with the low on-voltage drop of a power transistor (GTR).

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